胜利油田的“新胜利”之路：锐捷无线网桥铺就智能生产物联网

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实验还表明取代反应优先发生在MIs中的缺陷位置，油田如薄片边缘、I的空位和晶界，两步过程不会受到替代步骤的热限制。因此，锐捷需要发展一种能够在低于400℃的温度下生长各种二维金属硫族化合物的方法，锐捷以便添加新材料同时不会导致现有的器件损伤并兼容微电子后道工序。

无线网桥物联网©2023TheAuthors图3 在TMDs上生长的二维In2S3的光电表征。胜利胜利生产  在晶片上集成各种2D材料不仅能丰富器件的功能还能通过形成异质结构以此构建具有非常规性质的材料。两步法反应使得金属、油田半导体和拓扑绝缘的二维层直接在云母或过渡金属硫化物（TMDs）上实现高质量生长，形成MC/TMD异质结构。

b-d），锐捷In2S3/WS2(b)，锐捷SnSe2/WS2(c)和Bi2Te3/WS2 (d)的平面HAADF-STEM图像，显示周期莫尔超晶格，标记的平行四边形是相应的单元格;e-g)莫尔结构的原子分辨图像，对应于b-d中的样品©2023TheAuthors 图2MCs的替代外延。这可以通过材料转移来实现，无线网桥物联网但在转移过程中通常会引入机械损伤和化学污染。

一、胜利胜利生产【导读】  单片三维集成的成功可以促进成像传感器、光子集成、神经形态计算、低温电子学等新兴技术的发展。

a)在TMD（MoS2 或WS2）晶片上不同二维MC阵列的顺序生长示意图;b) 两英寸MoS2晶圆上MC阵列的照片,灰色框表示纯MoS2阵列区域,红色、油田蓝色、油田紫色、橙色和海军蓝框分别表示In2S3/MoS2、SnS2/MoS2、SnSe2/MoS2、CdSe/MoS2和CH3NH3PbI3/MoS2阵列区域,晶圆周围的黄色区域是连续的单层MoS2薄膜;c)MoS2、In2S3/MoS2、SnS2/MoS2、SnSe2/MoS2、CdSe/MoS2和CH3NH3PbI3/MoS2的拉曼光谱;d-i)MoS2、In2S3/MoS2、SnS2/MoS2、SnSe2/MoS2、CdSe/MoS2和CH3NH3PbI3/MoS2的高倍率OM图像和拉曼强度映射©2023TheAuthors 五、【成果启示】  利用此方法获得大面积均匀厚度的MC薄膜具有很大的挑战性。锐捷利用机器学习解决问题的过程为定义问题-数据收集-建立模型-评估-结果分析。

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